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IDT70V321L55J8

更新时间: 2024-09-17 10:15:19
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 330K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

IDT70V321L55J8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ,针数:52
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:55 ns其他特性:INTERRUPT FLAG
JESD-30 代码:S-PQCC-J52JESD-609代码:e0
长度:19.1262 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:2
端子数量:52字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.572 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:19.1262 mm
Base Number Matches:1

IDT70V321L55J8 数据手册

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