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IDT70V05S55JG

更新时间： 2024-11-07 13:08:39

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		/
页数	文件大小	规格书
17页	241K
描述
Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-68

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IDT70V05S55JG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	针数：	68
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.11
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PQCC-J68
JESD-609代码：	e3	长度：	24.2062 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	68	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装等效代码：	LDCC68,1.0SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.572 mm
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	24.2062 mm
Base Number Matches：	1

IDT70V05S55JG 数据手册

IDT70V05S/L

HIGH-SPEED 3.3V

8K x 8 DUAL-PORT

STATIC RAM

Integrated Device Technology, Inc.

• On-chip port arbitration logic

• Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

• Fully asynchronous operation from either port

• Devices are capable of withstanding greater than 2001V

electrostatic discharge

FEATURES:

• True Dual-Ported memory cells which allow simulta-

neous access of the same memory location

• High-speed access

— Commercial: 25/35/55ns (max.)

• Low-power operation

• Battery backup operation—2V data retention

— IDT70V05S

•

LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Active: 350mW (typ.)

Standby: 3.5mW (typ.)

— IDT70V05L

• Available in 68-pin PGA, 68-pin PLCC, and a 64-pin

TQFP

Active: 350mW (typ.)

Standby: 1mW (typ.)

DESCRIPTION:

• IDT70V05 easily expands data bus width to 16 bits or

more using the Master/Slave select when cascading

more than one device

• M/S = H for BUSY output flag on Master

M/S = L for BUSY input on Slave

• Busy and Interrupt Flags

The IDT70V05 is a high-speed 8K x 8 Dual-Port Static

RAM. The IDT70V05 is designed to be used as a stand-alone

Dual-Port RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-

Port RAM for 16-bit-or-more word systems. Using the IDT

MASTER/SLAVE Dual-Port RAM approach in 16-bit or wider

memory system applications results in full-speed, error-free

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

OER

OEL

CEL

CER

R/W

R/WR

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

(1,2)

I/O

Control

I/O

Control

BUSY ^(1,2)

BUSY

12L

12R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

NOTES:

R/W

1. (MASTER):

BUSY is output;

(SLAVE): BUSY

is input.

R/W

2. BUSY outputs

and INT outputs

are non-tri-

SEM

(2)

INT ⁽²⁾

INTR

stated push-pull.

M/S

2941 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE

OCTOBER 1996

For latest information contact IDT’s web site at www.idt.com or fax-on-demand at 408-492-8391.

DSC-2941/3

6.35

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V05S55JGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
IDT70V05S55JI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V05S55PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V05S55PF8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
IDT70V05S55PFG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT70V05S55PFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64
IDT70V05S55PFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L15G	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06L15GI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

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