是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA-84 | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.83 |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P84 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 27.94 mm | 内存密度: | 131072 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 84 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX16 |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.207 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 27.94 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70825S35PF | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70825S35PF8 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70825S35PF9 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70825S35PFB | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70825S35PFG | IDT |
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Standard SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70825S35PFG8 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70825S45G | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70825S45GB | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70825S45GG | IDT |
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Standard SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, CPGA84, PGA-84 | |
IDT70825S45GGB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX16, 45ns, CMOS, CPGA84, PGA-84 |