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IDT7054S35PFG8

更新时间: 2024-09-26 21:13:51
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 326K
描述
Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, TQFP-120

IDT7054S35PFG8 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LFQFP,针数:120
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.75
最长访问时间:35 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码:S-PQFP-G120JESD-609代码:e3
长度:14 mm内存密度:32768 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:4端子数量:120
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LFQFP
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子节距:0.4 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:14 mm
Base Number Matches:1

IDT7054S35PFG8 数据手册

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