5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LFQFP, | 针数： | 120 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.14 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G120 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 14 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | FOUR-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 4 | 端子数量： | 120 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFQFP |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.4 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7052L35PFB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-120 |
|
| IDT7052L35PFGB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQF |
|
| IDT7052L35PFM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP120 |
|
| IDT7052L35PQFB | IDT |
获取价格 |
Four-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132, 0.950 X 0.950 INCH, 0.140 INCH HEIGHT, PLASTIC, |
|
| IDT7052L35PQFM | IDT |
获取价格 |
Application Specific SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP132 |
|
| IDT7052L35QEB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 |
|
| IDT7052L35QEBG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC132, CERQUAD-132 |
|
| IDT7052L45G | ETC |
获取价格 |
Quad-Port SRAM |
|
| IDT7052L45GB | ETC |
获取价格 |
Quad-Port SRAM |
|
| IDT7052L45PF | ETC |
获取价格 |
Quad-Port SRAM |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
