是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LFQFP, | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.56 |
最长访问时间: | 20 ns | JESD-30 代码: | S-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 1179648 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX18 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFQFP |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7038L20PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX18, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT7038L20PFI | IDT |
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HIGH - SPEED 64K x 18 DUAL - PORT STATIC RAM | |
IDT7040LA20C | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 20ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
IDT7040LA20P | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 20ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | |
IDT7040LA25C | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
IDT7040LA25CB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
IDT7040LA25P | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7040LA25PB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | |
IDT7040LA35C | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
IDT7040LA35CB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 |