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IDT7026S25GI

更新时间： 2024-11-21 13:08:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 239K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, CERAMIC, PGA-84

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IDT7026S25GI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：PGA
包装说明：PGA, PGA84M,11X11针数：84
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.15
最长访问时间：25 ns其他特性：16K X 16 DUAL PORT SRAM
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-CPGA-P84
JESD-609代码：e0长度：27.94 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：2端子数量：84
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：PGA封装等效代码：PGA84M,11X11
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.207 mm最大待机电流：0.03 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.345 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子节距：2.54 mm
端子位置：PERPENDICULAR处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：27.94 mmBase Number Matches：1

IDT7026S25GI 数据手册

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HIGH-SPEED  
IDT7026S/L  
16K x 16 DUAL-PORT  
STATIC RAM  
Integrated Device Technology, Inc.  
FEATURES:  
• True Dual-Ported memory cells which allow simulta-  
neous access of the same memory location  
• High-speed access  
• IDT7026 easily expands data bus width to 32 bits or  
more using the Master/Slave select when cascading  
more than one device  
— Military: 25/35/55ns (max.)  
— Commercial: 20/25/35/55ns (max.)  
• Low-power operation  
• M/S = H for BUSY output flag on Master,  
M/S = L for BUSY input on Slave  
• On-chip port arbitration logic  
— IDT7026S  
• Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Active: 750mW (typ.)  
Standby: 5mW (typ.)  
— IDT7026L  
Active: 750mW (typ.)  
Standby: 1mW (typ.)  
• Separate upper-byte and lower-byte control for  
multiplexed bus compatibility  
• Fully asynchronous operation from either port  
• TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply  
• Available in 84-pin PGA and 84-pin PLCC  
• Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is avail-  
able, tested to military electrical specifications  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
R/  
UB  
W
L
L
R/  
W
R
UB  
R
LB  
CE  
OE  
L
LB  
CE  
OER  
R
L
R
L
I/O8L-I/O15L  
I/O0L-I/O7L  
I/O8R-I/O15R  
I/O0R-I/O7R  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
BUSY(1,2)  
L
BUSY (1,2)  
R
A
13L  
0L  
A
13R  
Address  
Decoder  
MEMORY  
ARRAY  
Address  
Decoder  
A
A
0R  
14  
14  
ARBITRATION  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CEL  
CER  
SEM  
R
SEM  
L
M/S  
2939 drw 01  
NOTES:  
1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.  
2. BUSY outputs are non-tri-stated push-pull.  
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.  
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES  
OCTOBER 1996  
For latest information contact IDT’s web site at www.idt.com or fax-on-demand at 408-492-8391.  
©1996 Integrated Device Technology, Inc.  
DSC 2939/3  
1
6.17  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT7026S25J IDT

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 		HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7026S25JB IDT

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 		HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7026S25JBG IDT

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 		Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
IDT7026S25JI IDT

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 		HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
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IDT7026S35GI IDT

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 		HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

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