是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.26 |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J84 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 29.3116 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 84 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.57 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 29.3116 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7026S25G | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7026S25GB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7026S25GI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, CERAMIC, PGA-84 | |
IDT7026S25J | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7026S25JB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7026S25JBG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | |
IDT7026S25JI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | |
IDT7026S35G | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7026S35GB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7026S35GG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, CERAMIC, PGA-84 |