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IDT7024L25JGB

更新时间： 2024-12-01 10:35:27

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	180K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-84

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IDT7024L25JGB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ, LDCC84,1.2SQ	针数：	84
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.29
最长访问时间：	25 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQCC-J84	JESD-609代码：	e3
长度：	29.3116 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	84
字数：	4096 words	字数代码：	4000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	4KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC84,1.2SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class B	座面最大高度：	4.572 mm
最大待机电流：	0.004 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	J BEND
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	29.3116 mm

IDT7024L25JGB 数据手册

HIGH-SPEED

IDT7024S/L

4K x 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

◆

IDT7024 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

M/S = H for BUSY output flag on Master

M/S = L for BUSY input on Slave

Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

Battery backup operation—2V data retention

TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply

Available in 84-pin PGA, Flatpack, PLCC, and 100-pin Thin

Quad Flatpack

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Green parts availble, see ordering information

Features

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

◆

– Military:20/25/35/55/70ns(max.)

– Industrial:55ns (max.)

◆

– Commercial:15/17/20/25/35/55ns(max.)

Low-power operation

◆

– IDT7024S

◆

Active:750mW(typ.)

Standby: 5mW (typ.)

– IDT7024L

Active:750mW(typ.)

Standby: 1mW (typ.)

Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed

◆

bus compatibility

FunctionalBlockDiagram

R/W

UBL

LBR

I/O8L-I/O15L

I/O0L-I/O7L

I/O8R-I/O15R

I/O

Control

I/O

Control

I/O0R-I/O7R

BUSY ^(1,2)

BUSYR

(1,2)

11R

11L

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

R/W

SEM

(2)

INT ⁽²⁾

M/S

INTR

2740 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.

OCTOBER 2008

DSC 2740/13

12 3 4 5 6 7...22

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与IDT7024L25JGB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7024L25PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L25PF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
IDT7024L25PFB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L25PFG	IDT	获取价格	暂无描述
IDT7024L25PFGB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100
IDT7024L30F	ETC	获取价格	x16 Dual-Port SRAM
IDT7024L30G	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, CPGA84, CAVITY-DOWN, CERAMIC, PGA-84
IDT7024L30J	ETC	获取价格	x16 Dual-Port SRAM
IDT7024L30J8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
IDT7024L30JG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 4KX16, 30ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84

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