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IDT7024L25GGB PDF预览

IDT7024L25GGB

更新时间： 2024-11-30 13:08:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT /
页数 文件大小 规格书
20页 291K
描述
Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-84

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IDT7024L25GGB 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：PGA
包装说明：PGA, PGA84M,11X11针数：84
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.07
Is Samacsys：N最长访问时间：25 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-CPGA-P84
JESD-609代码：e3长度：27.94 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：2端子数量：84
字数：4096 words字数代码：4000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：4KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：PGA封装等效代码：PGA84M,11X11
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-PRF-38535 Class B座面最大高度：5.207 mm
最大待机电流：0.004 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：MATTE TIN端子形式：PIN/PEG
端子节距：2.54 mm端子位置：PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：27.94 mm
Base Number Matches：1

IDT7024L25GGB 数据手册

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IDT7024S/L  
HIGH-SPEED  
4K x 16 DUAL-PORT  
STATIC RAM  
Integrated Device Technology, Inc.  
more than one device  
FEATURES:  
• M/S = H for BUSY output flag on Master  
M/S = L for BUSY input on Slave  
• Busy and Interrupt Flags  
• On-chip port arbitration logic  
• Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
• True Dual-Ported memory cells which allow simulta-  
neous access of the same memory location  
• High-speed access  
— Military: 20/25/35/55/70ns (max.)  
— Commercial: 15/17/20/25/35/55ns (max.)  
• Low-power operation  
• Devices are capable of withstanding greater than 2001V  
electrostatic discharge.  
— IDT7024S  
Active: 750mW (typ.)  
• Fully asynchronous operation from either port  
• Battery backup operation—2V data retention  
• TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply  
• Available in 84-pin PGA, 84-pin quad flatpack, 84-pin  
PLCC, and 100-pin Thin Quad Plastic Flatpack  
• Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is avail-  
able, tested to military electrical specifications  
Standby: 5mW (typ.)  
— IDT7024L  
Active: 750mW (typ.)  
Standby: 1mW (typ.)  
• Separate upper-byte and lower-byte control for  
multiplexed bus compatibility  
• IDT7024 easily expands data bus width to 32 bits or  
more using the Master/Slave select when cascading  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
R/  
UB  
W
L
L
R/  
W
R
UB  
R
LB  
CE  
OE  
L
LB  
CE  
OER  
R
L
R
L
I/O8L-I/O15L  
I/O0L-I/O7L  
I/O8R-I/O15R  
I/O0R-I/O7R  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
BUSY(1,2)  
L
BUSY (1,2)  
R
A
11L  
0L  
A
11R  
Address  
Decoder  
MEMORY  
ARRAY  
Address  
Decoder  
A
A
0R  
12  
12  
NOTES:  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
1. (MASTER):  
BUSY is output;  
(SLAVE): BUSY  
is input.  
CE  
OE  
R/  
L
CE  
OE  
R/  
R
L
R
WL  
W
R
2. BUSY outputs  
and INT outputs  
are non-tri-stated  
push-pull.  
SEM  
R
SEM  
L
INT(2)  
L
INT (2)  
R
M/  
S
2740 drw 01  
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.  
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES  
OCTOBER 1996  
©1996 Integrated Device Technology, Inc.  
DSC-2740/6  
For latest information contact IDT’s web site at www.idt.com or fax-on-demand at 408-492-8391.  
1
6.15  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT7024L25J IDT

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 		HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7024L25J8 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
IDT7024L25JB IDT

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IDT7024L25JG IDT

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 		Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P
IDT7024L25JGB IDT

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IDT7024L25PFGB IDT

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 		Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100

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