是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, PGA68,11X11 | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.06 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P68 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 27.889 mm | 内存密度: | 131072 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 68 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 16KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA68,11X11 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 |
座面最大高度: | 2.413 mm | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 27.889 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7006S55J | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7006S55J8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, | |
IDT7006S55JB | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7006S55JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
IDT7006S55JGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
IDT7006S55JGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
IDT7006S55JI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, | |
IDT7006S55L68 | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7006S55L68B | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7006S55PF | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |