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IDT6198S35LBG8

更新时间: 2024-11-11 14:51:23
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 232K
描述
Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

IDT6198S35LBG8 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QLCC
包装说明:LCC-28针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-CQCC-N28JESD-609代码:e3
长度:13.97 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16KX4输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.048 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:MATTE TIN
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:8.89 mmBase Number Matches:1

IDT6198S35LBG8 数据手册

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