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IDT6198S35D

更新时间： 2024-11-10 22:25:35

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
8页	83K
描述
CMOS STATIC RAM 64K (16K x 4-BIT) with Output Control

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IDT6198S35D 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, CERDIP-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-GDIP-T24
JESD-609代码：	e0	长度：	32.004 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16KX4
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP24,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

IDT6198S35D 数据手册

IDT6198S

IDT6198L

CMOS STATIC RAM

64K (16K x 4-BIT)

with Output Control

Integrated Device Technology, Inc.

niques, provides a cost-effective approach for memory inten-

sive applications. Timing parameters have been specified to

meet the speed demands of the IDT79R3000 RISC proces-

sors.

Access times as fast as 15ns are available. The IDT6198

offersareducedpowerstandbymode, ISB1, whichisactivated

when CS goes HIGH. This capability significantly decreases

system, while enhancing system reliability. The low-power

version (L) also offers a battery backup data retention capa-

bility where the circuit typically consumes only 30µW when

operating from a 2V battery.

FEATURES:

• High-speed (equal access and cycle times)

— Military: 20/25/35/45/55/70/85ns (max.)

— Commercial: 15/20/25/35ns (max.)

• OutputEnable(OE)pinavailableforaddedsystemflexibility

• Low-power consumption

• JEDEC compatible pinout

• Battery back-up operation—2V data retention (L version

only)

• 24-pin CERDIP, high-density 28-pin leadless chip carrier,

and 24-pin SOJ

• Produced with advanced CMOS technology

• Bidirectional data inputs and outputs

• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

All inputs and outputs are TTL-compatible and operate

from a single 5V supply.

TheIDT6198ispackagedineithera24-pin300mil CERDIP,

28-pin leadless chip carrier or 24-pin J-bend small outline IC.

Military grade product is manufactured in compliance with

the latest revision of MIL-STD-883, Class B, making it ideally

suited to military temperature applications demanding the

highest level of performance and reliability.

DESCRIPTION:

The IDT6198 is a 65,536-bit high-speed static RAM orga-

nized as 16K x 4. It is fabricated using IDT’s high-perfor-

mance, high-reliabilitytechnology—CMOS. Thisstate-of-the-

art technology, combined with innovative circuit design tech-

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

VCC

GND

65,536-BIT

MEMORY ARRAY

DECODER

A13

I/O0

COLUMN I/O

I/O1

INPUT

DATA

CONTROL

I/O2

I/O3

2987 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

MAY 1994

1994 Integrated Device Technology, Inc.

DSC-1010/4

6.3

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT6198S35DB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 64K (16K x 4-BIT) with Output Control
IDT6198S35L	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 64K (16K x 4-BIT) with Output Control
IDT6198S35L8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6198S35LB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 64K (16K x 4-BIT) with Output Control
IDT6198S35LB8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6198S35LBG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6198S35LG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6198S35P	IDT	获取价格	暂无描述
IDT6198S35SO	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT6198S35SO8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24

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