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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 30 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 16KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.14 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 6 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT6198S30L | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| IDT6198S30LB | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| IDT6198S30P | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| IDT6198S30SO | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| IDT6198S30Y | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| IDT6198S35C | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| IDT6198S35CB | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| IDT6198S35D | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (16K x 4-BIT) with Output Control |
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| IDT6198S35DB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (16K x 4-BIT) with Output Control |
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| IDT6198S35L | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (16K x 4-BIT) with Output Control |
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