是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | 0.300 INCH, SOIC-20 |
针数: | 20 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.87 | 最长访问时间: | 12 ns |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G20 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 12.8 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 20 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16KX1 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP20,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.65 mm |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.5 mm |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IDT6167LA12L | ETC | x1 SRAM |
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IDT6167LA12P | ETC | x1 SRAM |
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IDT6167LA12SO | ETC | x1 SRAM |
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IDT6167LA12SO8 | IDT | Standard SRAM, 16KX1, 12ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOIC-20 |
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IDT6167LA12Y8 | IDT | Standard SRAM, 16KX1, 12ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOJ-20 |
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IDT6167LA15D | IDT | CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) |
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