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IDT6167LA12F

更新时间: 2024-02-20 20:38:06
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 663K
描述
x1 SRAM

IDT6167LA12F 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:0.300 INCH, SOIC-20
针数:20Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.87最长访问时间:12 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-G20
JESD-609代码:e0长度:12.8 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX1输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP20,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.65 mm
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.1 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.5 mm

IDT6167LA12F 数据手册

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