是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DFP | 包装说明: | 0.300 INCH, CERPACK-20 |
针数: | 20 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-GDFP-F20 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 20 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 16KX1 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DFP | 封装等效代码: | FL20,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 2.3368 mm |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 6.9215 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT6167LA100P | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) | |
IDT6167LA100PB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) | |
IDT6167LA100Y | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) | |
IDT6167LA100YB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) | |
IDT6167LA12D | ETC |
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x1 SRAM | |
IDT6167LA12E | ETC |
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x1 SRAM | |
IDT6167LA12F | ETC |
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x1 SRAM | |
IDT6167LA12L | ETC |
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x1 SRAM | |
IDT6167LA12P | ETC |
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x1 SRAM | |
IDT6167LA12SO | ETC |
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x1 SRAM |