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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | 0.300 INCH, CERDIP-20 |
| 针数： | 20 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-GDIP-T20 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 25.3365 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 16KX1 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP20,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT6167LA100EB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 100ns, CMOS, CDFP20, 0.300 INCH, CERPACK-20 |
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| IDT6167LA100P | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) |
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| IDT6167LA100PB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) |
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| IDT6167LA100Y | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) |
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| IDT6167LA100YB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (16K x 1-BIT) |
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| IDT6167LA12D | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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| IDT6167LA12E | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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| IDT6167LA12F | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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| IDT6167LA12L | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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| IDT6167LA12P | ETC |
获取价格 |
x1 SRAM |
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