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IDT6167L-55LB

更新时间: 2024-02-24 08:51:38
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 411K
描述
Standard SRAM, 16KX1, 55ns, CMOS, CQCC20

IDT6167L-55LB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:55 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-XQCC-N20
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
端子数量:20字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC20,.3X.43封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

IDT6167L-55LB 数据手册

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