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IDT61594S30CB

更新时间: 2024-01-05 05:25:05
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
Cache SRAM, 16KX4, 13ns, CMOS, CDIP28, DIP-28

IDT61594S30CB 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:13 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T28
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:16KX4输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

IDT61594S30CB 数据手册

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