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IDT61592L25P

更新时间: 2024-09-16 21:05:31
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艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
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2页 44K
描述
Cache SRAM, 16KX4, CMOS, PDIP28, DIP-28

IDT61592L25P 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16KX4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IDT61592L25P 数据手册

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