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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.6 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 8.77 |
| 最长访问时间： | 150 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T24 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.09 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT6116SA150EB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERPACK-24 |
|
| IDT6116SA150FB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CDFP24, FP-24 |
|
| IDT6116SA150L24B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC24, LCC-24 |
|
| IDT6116SA150L28B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
|
| IDT6116SA150L28BG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
|
| IDT6116SA150L32B8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 150ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
|
| IDT6116SA150P | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
|
| IDT6116SA150PB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116SA150SO | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
|
| IDT6116SA150SOB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
|
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