IDT6116SA120TDB

更新时间： 2024-11-04 22:34:19

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	95K
描述
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)

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IDT6116SA120TDB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP24,.3	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-GDIP-T24
JESD-609代码：	e0	长度：	32.004 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP24,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

IDT6116SA120TDB 数据手册

IDT6116SA

IDT6116LA

CMOS STATIC RAM

16K (2K x 8 BIT)

Integrated Device Technology, Inc.

FEATURES:

DESCRIPTION:

• High-speed access and chip select times

— Military: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (max.)

— Commercial: 15/20/25/35/45ns (max.)

• Low-power consumption

The IDT6116SA/LA is a 16,384-bit high-speed static RAM

organized as 2K x 8. It is fabricated using IDT's high-perfor-

mance, high-reliability CMOS technology.

Access times as fast as 15ns are available. The circuit also

offers a reduced power standby mode. When CSgoes HIGH,

the circuit will automatically go to, and remain in, a standby

power mode, as long as CS remains HIGH. This capability

provides significant system level power and cooling savings.

The low-power (LA) version also offers a battery backup data

retention capability where the circuit typically consumes only

1µW to 4µW operating off a 2V battery.

All inputs and outputs of the IDT6116SA/LA are TTL-

compatible. Fullystaticasynchronouscircuitryisused, requir-

ing no clocks or refreshing for operation.

The IDT6116SA/LA is packaged in 24-pin 600 and 300 mil

plasticorceramicDIP anda24-leadgull-wingSOIC, anda24

-lead J-bend SOJ providing high board-level packing densi-

ties.

• Battery backup operation

— 2V data retention voltage (LA version only)

• Produced with advanced CMOS high-performance

technology

• CMOS process virtually eliminates alpha particle

soft-error rates

• Input and output directly TTL-compatible

• Static operation: no clocks or refresh required

• Available in ceramic and plastic 24-pin DIP, 24-pin Thin

Dip and 24-pin SOIC and 24-pin SOJ

• Military product compliant to MIL-STD-833, Class B

Militarygradeproductismanufacturedincompliancetothe

latest version of MIL-STD-883, Class B, making it ideally

suited to military temperature applications demanding the

highest level of performance and reliability.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A ₀

VCC

128 X 128

ADDRESS

DECODER

MEMORY

GND

ARRAY

A ₁₀

I/O 0

I/O CONTROL

INPUT

DATA

CIRCUIT

I/O₇

CONTROL

CIRCUIT

3089 drw 01

The IDT logo is aregistered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

MARCH 1996

1996 Integrated Device Technology, Inc.

For latest information contact IDT's web site at www.idt.com or fax-on-demand at 408-492-8391.

5.1

3089/1

12 3 4 5 6 7...10

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