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IDT6116LA90L28B8

更新时间： 2024-01-19 03:19:38

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	301K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

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IDT6116LA90L28B8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QLCC
包装说明：	QCCN,	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.71
最长访问时间：	90 ns	JESD-30 代码：	S-CQCC-N28
JESD-609代码：	e0	长度：	11.4554 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.54 mm
最小待机电流：	2 V	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	11.4554 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT6116LA90L28BG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6116LA90L32	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32
IDT6116LA90L32B	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT6116LA90L32B8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT6116LA90P	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90PB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90SO	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90SOB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90TD	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)
IDT6116LA90TDB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)