是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.13 | 最长访问时间: | 45 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T24 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 31.75 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.699 mm |
最大待机电流: | 0.00002 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.075 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT6116LA45PGI | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 | |
IDT6116LA45PI | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116LA45SO | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116LA45SOB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116LA45SOG | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | |
IDT6116LA45SOG8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | |
IDT6116LA45SOGI | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | |
IDT6116LA45SOGI8 | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOIC-24 | |
IDT6116LA45SOI | IDT |
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CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) | |
IDT6116LA45SOI8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 |