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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP24,.3 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.45 |
| 其他特性： | WITH OUTPUT ENABLE | 控制类型： | ENABLE LOW |
| 系列： | FCT | JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 32.004 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | BUS DRIVER |
| 最大I（ol）： | 0.032 A | 位数： | 10 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 24 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 输出特性： | 3-STATE |
| 输出极性： | TRUE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP24,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 9 ns | 传播延迟（tpd）： | 17 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Bus Driver/Transceivers |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT54FCT827AE | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827AEB | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827AL | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827ALB | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827AP | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827APB | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827ASO | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827ASOB | IDT |
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HIGH-PERFORMANCE CMOS BUFFERS |
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| IDT54FCT827AT | IDT |
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FAST CMOS 10-BIT BUFFERS |
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| IDT54FCT827ATD | IDT |
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FAST CMOS 10-BIT BUFFERS |
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