Datasheet > IDT10484S7Y

IDT10484S7Y

更新时间： 2024-09-24 20:16:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	95K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 7ns, PDSO24

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT10484S7Y 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.92	最长访问时间：	7 ns
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PDSO-J24
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	3	负电源额定电压：	-5.2 V
端子数量：	24	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4KX4	输出特性：	OPEN-EMITTER
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ24,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	-5.2 V
认证状态：	Not Qualified	子类别：	SRAMs
表面贴装：	YES	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

IDT10484S7Y 数据手册

PRELIMINARY

IDT10484, IDT10A484

IDT100484, IDT100A484

IDT101484, IDT101A484

HIGH-SPEED BiCMOS

ECL STATIC RAM

16K (4K x 4-BIT) SRAM

Integrated Device Technology, Inc.

These devices are part of a family of asynchronous four-

bit-wide ECL SRAMs. This device is available in both the

traditional corner-power pinout, and "revolutionary" center-

power pin configurations. Because they are manufactured in

BiCEMOS technology, powerdissipationisgreatlyreduced

over equivalent bipolar devices. Low power operation pro-

vides higher system reliability and makes possible the use of

the plastic SOJ package for high-density surface mount

assembly.

The fast access time and guaranteed Output Hold time

allowgreatermarginforsystemtimingvariation. DataINsetup

time specified with respect to the trailing edge of Write Pulse

eases write timing allowing balanced Read and Write cycle

times.

FEATURES:

• 4096-words x 4-bit organization

• Address access time: 4/4.5/5/7/8/10/15 ns

• Low power dissipation: 900mW (typ.)

• Guaranteed Output Hold time

• Fully compatible with ECL logic levels

• Separate data input and output

• Corner and Center power pin pinouts

• Standard through-hole and surface mount packages

• Guaranteed-performance die available for MCMs/hybrids

• MIL-STD-883, Class B product available

DESCRIPTION:

The IDT10484(10A484), IDT100484(100A484) and

IDT101484(101A484)are16,384-bithigh-speedBiCEMOS

ECL static random access memories organized as 4Kx4, with

separate data inputs and outputs. All I/Os are fully compatible

with ECL levels.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

16,384-BIT

MEMORY ARRAY

DECODER

SENSE AMPS

AND READ/WRITE

CONTROL

WE1

WE2

2811 drw 01

BiCEMOS is a trademark of Integrated Device Technology, Inc.

COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE

JANUARY 1992

1991 Integrated Device Technology, Inc.

DSC-8018/4

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IDT10484S7Y相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT10484S8C	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT10484S8CB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 4KX4, 8ns, CDIP28
IDT10484S8DF	IDT	获取价格	Standard SRAM, 4KX4, 8ns, CDIP28
IDT10484S8E	IDT	获取价格	Standard SRAM, 4KX4, 8ns, CDFP28
IDT10484S8Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 4KX4, 8ns, PDSO24
IDT10490S10D	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX1, 10ns, CDIP22
IDT10490S10Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX1, 10ns, PDSO24
IDT10490S12D	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX1, 12ns, CDIP22
IDT10490S12Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX1, 12ns, PDSO24
IDT10490S15D	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX1, 15ns, CDIP22

与IDT10484S7Y相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

4
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

8
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

79
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

71

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT10484S7Y

IDT10484S7Y 技术参数

IDT10484S7Y 数据手册

与IDT10484S7Y相关器件

与IDT10484S7Y相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT10484S7Y

IDT10484S7Y 技术参数

IDT10484S7Y 数据手册

与IDT10484S7Y相关器件

与IDT10484S7Y相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？