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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | 0.300 INCH, SOJ-24 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDSO-J24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 15.88 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ24,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.76 mm |
| 最大待机电流： | 0.00002 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.08 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 71682SA85EB | IDT | Standard SRAM, 4KX4, 85ns, CMOS, CDFP24 |
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| 7168-45 | MOLEX | Barrier Strip Terminal Block, 25A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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| 7168-49 | MOLEX | Barrier Strip Terminal Block, 25A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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| 7168-58 | MOLEX | Barrier Strip Terminal Block, 25A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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| 7168-E | MOLEX | Barrier Strip Terminal Block, 25A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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| 7168-M | MOLEX | Barrier Strip Terminal Block, 25A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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