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70V914S12PF8

更新时间： 2024-01-18 18:35:36

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	108K
描述
TQFP-80, Reel

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70V914S12PF8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	14 X 14MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80	针数：	80
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
JESD-30 代码：	S-PQFP-G80	JESD-609代码：	e3
长度：	14 mm	内存密度：	36864 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	9
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	80	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4KX9	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

70V914S12PF8 数据手册

IDT70V914S

HIGH SPEED 3.3V

(4K X 9) SYNCHRONOUS

DUAL-PORT RAM

Features

◆

High-speed clock-to-data output times

– Data input, address, and control registers

– Commercial:20/25ns (max.)

– Industrial:20/25ns (max.)

Low-power operation

– Fast 20ns clock to data out

– Self-timedwriteallowsfastcycletimes

– 20ns cycletimes,50MHzoperation

LVTTL-compatible, single 3.3V (+ 0.3V) power supply

Clock Enable feature

Guaranteed data output hold times

Available in an 80-pin TQFP

◆

– IDT70V914S

Active: 250 mW (typ.)

Standby: 10 mW (typ.)

Architecture based on Dual-Port RAM cells

– Allowsfullsimultaneousaccessfrombothports

Synchronous operation

◆

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

◆

– 5ns setup to clock, 1ns hold on all control, data, and address

inputs

FunctionalBlockDiagram

I/O0-8R

I/O0-8L

WRITE

LOGIC

MEMOR

MEMORY

LOGIC

ARRAY

SENSE

AMPS

SENSE

AMPS

DECODER DECODER

REG

CLK

CLKEN

CLK

CLKEN

Self-

timed

Write

Logic

timed

Write

Logic

R/W

REG

R/WR

REG

CEL

A0R - A11R

A0L - A11L

5616 drw 01

JANUARY 2001

DSC-5616/2

12 3 4 5 6 7...10

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