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100484S10CB

更新时间: 2024-01-28 22:05:26
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 740K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 10ns, CDIP28

100484S10CB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:10 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4负电源额定电压:-4.5 V
端子数量:28字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX4输出特性:OPEN-EMITTER
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:-4.5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B子类别:SRAMs
最大压摆率:0.17 mA表面贴装:NO
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

100484S10CB 数据手册

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