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IDRD51-0-A1F1C-40D

更新时间: 2024-09-17 19:38:31
品牌 Logo 应用领域
奇梦达 - QIMONDA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
89页 5351K
描述
Rambus DRAM, 32MX16, CMOS, PDMA104, GREEN, PLASTIC, TFBGA-104

IDRD51-0-A1F1C-40D 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA,针数:104
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.84
访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-XDMA-N200长度:14.5 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:RAMBUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:104
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:32MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):1.89 V
最小供电电压 (Vsup):1.71 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:14 mm
Base Number Matches:1

IDRD51-0-A1F1C-40D 数据手册

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November 2008  
IDRD51-0-A1F1C–[32C/40D]  
XDR DRAM  
512-Mbit XDR DRAM  
RoHS compliant  
Internet Data Sheet  
Rev. 1.12  

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