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IDRD51-0-A1F1C-32C

更新时间： 2024-11-09 19:38:31

品牌	Logo	应用领域
奇梦达 - QIMONDA		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
89页	5351K
描述
Rambus DRAM, 32MX16, 53.6ns, CMOS, PBGA104, GREEN, PLASTIC, TFBGA-104

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IDRD51-0-A1F1C-32C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA104,11X16,50/32
针数：	104	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.82	访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间：	53.6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B104
长度：	14.5 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	104	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	32MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA104,11X16,50/32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	32768
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.16 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.65 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.89 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.71 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

November 2008

IDRD51-0-A1F1C–[32C/40D]

XDR DRAM

512-Mbit XDR DRAM

RoHS compliant

Internet Data Sheet

Rev. 1.12

12 3 4 5 6 7...89

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDRD51-0-A1F1C-40D	QIMONDA	获取价格	Rambus DRAM, 32MX16, CMOS, PDMA104, GREEN, PLASTIC, TFBGA-104
IDS-0505	ETC	获取价格	Analog IC
IDS-0512	ETC	获取价格	Analog IC
IDS-1	SEOUL	获取价格	.100" cl Insulation Displacement Socket
IDS100	MINMAX	获取价格	10W, Step-Down, Single Output DC/DC Converters
IDS100	TOTAL-POWER	获取价格	10W, Step-Down, Single Output DC/DC Converters
IDS101	TOTAL-POWER	获取价格	10W, Step-Down, Single Output DC/DC Converters
IDS101	MINMAX	获取价格	10W, Step-Down, Single Output DC/DC Converters
IDS112	TOTAL-POWER	获取价格	10W, Step-Down, Single Output DC/DC Converters
IDS112	MINMAX	获取价格	10W, Step-Down, Single Output DC/DC Converters