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IDH16G65C6

更新时间： 2024-11-25 11:15:35

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英飞凌 - INFINEON		局域网功效测试光电二极管肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
10页	1010K
描述
CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF)，在各种负载条件下都表现出更高的效率。

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IDH16G65C6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-220, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.67
其他特性：	PD-CASE	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON CARBIDE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.35 V	JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	最大非重复峰值正向电流：	65 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大功率耗散：	97 W	最大重复峰值反向电压：	650 V
最大反向电流：	53 µA	反向测试电压：	420 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

IDH16G65C6 数据手册

IDH16G65C6

6^thGeneration CoolSiC™

650V SiC Schottky Diode

The CoolSiC™ generation 6 (G6) is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier

diodes. The Infineon proprietary innovative G5 technology was enhanced in G6 by introducing further

advancements like a novel Schottky metal system. The result is a family of products with improved efficiency

over all load conditions, resulting from a lower figure of merit (Q_cx V_F). The CoolSiC™ Schottky diode 650 V G6

has been designed to complement our 600 V and 650 V CoolMOS™ 7 families, meeting the most stringent

application requirements in this voltage range.

PG-TO220-2

Table 1

Key performance parameters

Parameter

Value

650

21.5

4.3

Unit

CASE

V_RRM

Q_C(V_R= 400 V)

E_C(V_R= 400 V)

I_F(T_C≤ 135 °C, D = 1)

V_F(I_F= 16 A, T_j= 25 °C)

µJ

1) Cathode

2) Anode

1.25

Table 2

Package information

Type / ordering Code

IDH16G65C6

Package

Marking

D1665C6

PG-TO220-2

Features



Best in class forward voltage (1.25 V)

Best in class figure of merit (Q_cx V_F)

High dv/dt ruggedness (150 V/ns)

Benefits



System efficiency improvement

System cost and size savings due to the reduced cooling requirements

Enabling higher frequency and increased power density

Potential Applications



Power factor correction in SMPS

Solar inverter

Uninterruptible power supply

Product Validation



Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC (J-STD20 and JESD22)

Final Datasheet

Please read the Important Notice and Warnings at the end of this document

Rev. 2.0, 2017-05-23

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDH-16LP-S3-TG	3M	获取价格	HEADER CONNECTOR,PCB MNT,RECEPT,16 CONTACTS,PIN,0.1 PITCH,PC TAIL TERMINAL,LATCH,BLACK
IDH-16LP-S3-TR	3M	获取价格	HEADER CONNECTOR,PCB MNT,RECEPT,16 CONTACTS,PIN,0.1 PITCH,PC TAIL TERMINAL,LATCH,BLACK
IDH-16LP-SR3-TG30	3M	获取价格	HEADER CONNECTOR,PCB MNT,RECEPT,16 CONTACTS,PIN,0.1 PITCH,PC TAIL TERMINAL,LATCH,BLACK
IDH-16PK-S3-TG	3M	获取价格	HEADER CONNECTOR,PCB MNT,RECEPT,16 CONTACTS,PIN,0.1 PITCH,PC TAIL TERMINAL,BLACK
IDH-16PK-S4-TR	3M	获取价格	HEADER CONNECTOR,PCB MNT,RECEPT,16 CONTACTS,PIN,0.1 PITCH,PC TAIL TERMINAL,BLACK
IDH-16PK-SR3-TR	3M	获取价格	Board Connector, 16 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, 0.1 inch Pitch, Solder Termin
IDH-16PK-SR4-TG30	3M	获取价格	Board Connector, 16 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, 0.1 inch Pitch, Solder Termin
IDH16S60C	INFINEON	获取价格	2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDH16S60CAKSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 16A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220,
IDH-18200UH+/-15%	VISHAY	获取价格	General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 8200 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL

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