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IDC51D120T8H

更新时间: 2024-11-06 14:56:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关二极管
页数 文件大小 规格书
8页 239K
描述
用于中/高功率模块的快速开关发射极控制二极管。

IDC51D120T8H 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:DIE-1Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.40
风险等级:5.67应用:FAST SOFT RECOVERY HIGH POWER
最小击穿电压:1200 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.25 VJESD-30 代码:R-XUUC-N1
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向电流:18 µA反向测试电压:1200 V
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IDC51D120T8H 数据手册

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Emitter Controlled 4 High Power Technology  
IDC51D120T8H  
Data Sheet  
Industrial Power Control  

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