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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 200 ns |
| 其他特性： | CONFIGURABLE AS 1M X 16 | JESD-30 代码： | X-XXMA-X66 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | SRAM CARD |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 66 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 组织： | 2MX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ID21M040 | SHARP |
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SRAM Card, 4MX8, 200ns, CMOS, |
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| ID221205 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| ID221210 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
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| ID221275 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) |
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| ID2212A2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
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| ID221K05 | POWEREX |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, |
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| ID221K10 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) |
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| ID221K75 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) |
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| ID221KA2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
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| ID222XX | SHARP |
获取价格 |
MASK ROM, 256KX8, 130ns, CMOS, |
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