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ICTE-18

更新时间: 2024-09-27 22:28:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

ICTE-18 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.42
Is Samacsys:N最小击穿电压:21.2 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:25.2 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:18 V
最大反向电流:2 µA子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

ICTE-18 数据手册

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ICTE-18 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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