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IC62LV5128L-55B

更新时间： 2024-09-25 04:44:15

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矽成 - ICSI		存储内存集成电路静态存储器
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11页	179K
描述
512Kx8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM

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IC62LV5128L-55B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FBGA, BGA36,6X8,30	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B36	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	36
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA36,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	1.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.025 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

IC62LV5128L-55B 数据手册

IC62LV5128L

IC62LV5128LL

Document Title

512Kx8 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM

Revision History

Revision No

History

Draft Date

May 1,2001

Remark

Initial Draft

Preliminary

1. Change for t^PWE: 45 to 40 ns for 55 ns product

: 60 to 40 ns for 70 ns product

August 31,2001

2. Change for V^CC: 2.2-3.6V to 2.7-3.6V

3.1Change for I^CCtest conditiomn: VCC=Max. to 3V

3.2Change for ICC: 30 to 25mA for 55 ns product

25 to 20mA for 70 ns porduct

20 to 15 mA for 100 ns product

4.1Change for V^DRMin. : 1.2 to 1.5V

4.2Change for I^DRtest condition: VCC=1.2 to 1.5V and IDR

5. Change for tHZCE 25 to 20 ns for 55 ns product

6. Change for t^HZWE33 to 30 ns for 70 ns product

The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and

products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.

Integrated Circuit Solution Inc.

LPSR012-0B 08/31/2001

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