Datasheet > 存储 > SRAM> IC62LV25616L-70T

IC62LV25616L-70T

更新时间： 2024-11-13 04:44:15

品牌	Logo	应用领域
矽成 - ICSI		/
页数	文件大小	规格书
11页	126K
描述
256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IC62LV25616L-70T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TSOP, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.00001 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.02 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

IC62LV25616L-70T 数据手册

IC62LV25616L

IC62LV25616LL

Document Title

256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM

Revision History

Revision No

History

Draft Date

May 1,2001

Remark

Initial Draft

Preliminary

1. Change for t^PWE: 45 to 40 ns for 55 ns product

: 60 to 40 ns for 70 ns product

August 21,2001

2. Change for V^CC: 2.2-3.6V to 2.7-3.6V

3.1Change for I^CCtest conditiomn: VCC=Max. to 3V

3.2Change for ICC: 35 to 40mA for 55 ns commercial product

30 to 35mA for 70 ns commercial porduct

25 to 30 mA for 100 ns commercial product

4. Change for I^SB1 test conditions: with CE controlled only

5.1Change for V^DRMin. : 1.2 to 1.5V

5.2Change for I^DRtest condition: VCC=1.2 to 1.5V

1.Change for I^CC: 40 mA to 25 mA for 55 ns

35 mA to 20 mA for 70 ns

January 29,2002

30 mA to 15mA for 100 ns

2.Change for I^DR: 4µA to 5 µA for commercial/LL product

6µA to 9 µA for Industrial/LL Product

Change for V^OH: 2.0V to 2.4V

October 9,2002

The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and

products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.

Integrated Circuit Solution Inc.

LPSR013-0D10/11/2002

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与IC62LV25616L-70T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IC62LV25616L-70TI	ICSI	获取价格	256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
IC62LV25616LL	ICSI	获取价格	256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
IC62LV25616LL-100B	ICSI	获取价格	256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
IC62LV25616LL-100BI	ICSI	获取价格	256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
IC62LV25616LL-100T	ICSI	获取价格	256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
IC62LV25616LL-100TI	ICSI	获取价格	256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
IC62LV25616LL-55B	ICSI	获取价格	256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
IC62LV25616LL-55BI	ICSI	获取价格	256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
IC62LV25616LL-55T	ICSI	获取价格	256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM
IC62LV25616LL-55TI	ICSI	获取价格	256Kx16 bit Low Voltage and Ultra Low Power CMOS Static RAM

与IC62LV25616L-70T相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

25
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IC62LV25616L-70T

IC62LV25616L-70T 技术参数

IC62LV25616L-70T 数据手册

与IC62LV25616L-70T相关器件

与IC62LV25616L-70T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IC62LV25616L-70T

IC62LV25616L-70T 技术参数

IC62LV25616L-70T 数据手册

与IC62LV25616L-70T相关器件

与IC62LV25616L-70T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？