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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LQFP-100 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 7.5 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 117 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX32 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.27 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.63 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.635 mm | 端子位置： | QUAD |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IC61SF12832-8.5B | ICSI | 128K x 32 Flow Through SyncBurst SRAM |
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| IC61SF12832-8.5TQ | ICSI | 128K x 32 Flow Through SyncBurst SRAM |
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| IC61SF12832-8.5TQI | ICSI | 128K x 32 Flow Through SyncBurst SRAM |
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| IC61SF12832-8B | ICSI | 128K x 32 Flow Through SyncBurst SRAM |
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| IC61SF12832-8TQ | ICSI | 128K x 32 Flow Through SyncBurst SRAM |
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| IC61SF12832-8TQI | ICSI | 128K x 32 Flow Through SyncBurst SRAM |
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