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IC61LV6416-8BI

更新时间: 2024-11-10 22:48:19
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矽成 - ICSI 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 97K
描述
64K x 16 Hight Speed SRAM with 3.3V

IC61LV6416-8BI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:FBGA, BGA48,6X8,30Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最长访问时间:8 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B48JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16端子数量:48
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.015 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.23 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

IC61LV6416-8BI 数据手册

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IC61LV6416  
Document Title  
64K x 16 Hight Speed SRAM with 3.3V  
1
Revision History  
Revision No  
History  
Draft Date  
Remark  
0A  
Initial Draft  
September 12,2001  
2
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4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and  
products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
AHSR026-0A 09/12/2001  
1

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