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IC61LV6416-15T

更新时间: 2024-11-10 22:48:19
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矽成 - ICSI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 97K
描述
64K x 16 Hight Speed SRAM with 3.3V

IC61LV6416-15T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:TSOP, TSOP44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.85最长访问时间:15 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.01 A最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.18 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

IC61LV6416-15T 数据手册

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IC61LV6416  
Document Title  
64K x 16 Hight Speed SRAM with 3.3V  
1
Revision History  
Revision No  
History  
Draft Date  
Remark  
0A  
Initial Draft  
September 12,2001  
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and  
products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
AHSR026-0A 09/12/2001  
1

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