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IC42S16160-7TG

更新时间: 2024-01-03 14:54:37
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矽成 - ICSI 存储动态存储器
页数 文件大小 规格书
69页 1202K
描述
4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM

IC42S16160-7TG 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, TSOP54,.46,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.75Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):143 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54JESD-609代码:e3
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:16MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.15 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

IC42S16160-7TG 数据手册

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IC42S16160  
Document Title  
4M x 16Bit x 4 Banks (256-MBIT) SDRAM  
Revision History  
Revision No  
History  
Draft Date  
Remark  
0A  
Initial Draft  
September 05,2003  
Preliminary  
The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and  
products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
1
DR037-0A 9/05/2003  

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