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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOP, TSOP50,.46,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.75 | 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 143 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G50 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 50 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | TSOP50,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IC42S16101-7BIG | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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| IC42S16101-7T | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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| IC42S16101-7TG | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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| IC42S16101-7TI | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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| IC42S16101-7TIG | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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| IC42S16101-8BIG | ISSI | Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, VFBGA-60 |
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