是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, TSOP50,.46,32 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.75 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 5.5 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G50 |
JESD-609代码: | e3 | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 50 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | TSOP50,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.002 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.145 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IC42S16101-6BIG | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
获取价格 |
|
IC42S16101-6T | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
获取价格 |
|
IC42S16101-6TG | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
获取价格 |
|
IC42S16101-6TI | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
获取价格 |
|
IC42S16101-6TIG | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
获取价格 |
|
IC42S16101-7BG | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
获取价格 |