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IC42S16100-8TIG

更新时间: 2024-01-14 11:52:19
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
79页 745K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50,

IC42S16100-8TIG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:TSOP, TSOP50,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.75最长访问时间:6 ns
最大时钟频率 (fCLK):125 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G50
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16端子数量:50
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP50,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.135 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IC42S16100-8TIG 数据手册

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IC42S16100  
Document Title  
512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM  
Revision History  
Revision No  
History  
Draft Date  
Remark  
0A  
0B  
0C  
Initial Draft  
August 28,2001  
January 10,2002  
December 02,2003  
revise for typo on page 17  
Add Pb-free package  
The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and  
products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
1
DR024-0C 12/02/2003  

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