是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | TSOP, TSOP50,.46,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.75 | 最长访问时间: | 6 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 125 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G50 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 16 | 端子数量: | 50 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP |
封装等效代码: | TSOP50,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.135 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IC42S16100E-6TL | ISSI | Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50 |
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IC42S16100E-7TL | ISSI | Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-50 |
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IC42S16101 | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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IC42S16101-5BG | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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IC42S16101-5BIG | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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IC42S16101-5T | ICSI | 512K x 16 Bit x 2 Banks (16-MBIT) SDRAM |
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