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IC41LV16100A-60K

更新时间: 2024-02-19 21:45:43
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矽成 - ICSI /
页数 文件大小 规格书
21页 232K
描述
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

IC41LV16100A-60K 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:TSOP, TSOP44/50,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83最长访问时间:60 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP44/50,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024自我刷新:NO
最大待机电流:0.0005 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.145 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IC41LV16100A-60K 数据手册

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IC41C16100A/IC41C16100AS  
IC41LV16100A/IC41LV16100AS  
Document Title  
1M x 16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode  
Revision History  
Revision No  
History  
Draft Date  
Remark  
0A  
Initial Draft  
September 28,2001  
Integrated Circuit Solution Inc.  
1
DR030-0A 09/28/2001  

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