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IBM0116180MT3-80

更新时间: 2024-09-23 14:31:35
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 1235K
描述
Fast Page DRAM, 1MX18, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44

IBM0116180MT3-80 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:50
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:20.95 mm
内存密度:18874368 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX18
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

IBM0116180MT3-80 数据手册

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