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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | URP |
| 包装说明： | R-PDSO-G2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.81 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 6.2 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 2.18% | 工作测试电流： | 5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HZU6.2B2-E | RENESAS | 6.2V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ULTRA SMALL, PLASTIC, URP, SC |
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| HZU6.2B3TRF | RENESAS | 6.395V, 0.2W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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| HZU6.2G | RENESAS | Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorption |
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| HZU6.2L | HITACHI | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
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| HZU6.2Z | RENESAS | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
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| HZU6.2Z | HITACHI | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb |
获取价格 |
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