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HZU13G

更新时间: 2024-11-23 05:38:51
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 瞬态抑制器二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 56K
描述
Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorption

HZU13G 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-76A
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.72
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大动态阻抗:35 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:13 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

HZU13G 数据手册

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HZU-G Series  
Silicon Planar Zener Diode for Surge Absorption  
REJ03G1215-0300  
Rev.3.00  
Jun 08, 2006  
Features  
Zener diode for surge absorption suitable for IEC 1000-4-2.  
Ultra small Resin Package (URP) is suitable for surface mount design.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Name  
Package Code  
HZU-G Series  
Let to Mark Code  
URP  
PTSP0002ZA-A  
Pin Arrangement  
Cathode mark  
Mark  
1
2
51  
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.3.00 Jun 08, 2006 page 1 of 4  

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