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HZS11B3LTA-E

更新时间: 2024-01-02 21:30:42
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瑞萨 - RENESAS 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
7页 56K
描述
HZS11B3LTA-E

HZS11B3LTA-E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-34
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.59
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

HZS11B3LTA-E 数据手册

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HZS Series  
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply  
REJ03G0184-0300Z  
(Previous: ADE-208-120B)  
Rev.3.00  
Mar.11.2004  
Features  
Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 400 mW are ideally suited for stabilized  
power supply, etc.  
Wide spectrum from 1.6V through 38V of zener voltage provide flexible application.  
Suitable for 5mm-pitch high speed automatic insertion.  
Ordering Information  
Type No.  
Mark  
Package Code  
HZS Series  
Type No.  
MHD  
Pin Arrangement  
B
2
2
1
Type No.  
Cathode band  
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.3.00, Mar.11.2004, page 1 of 6  

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