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HZS11B3

更新时间： 2024-01-23 08:36:28

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EIC		二极管
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2页	82K
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Zener Diode,

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HZS11B3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-34
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.59
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-34	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

HZS11B3 数据手册

TH97/10561QM

TW00/17276EM

IATF 0060636

SGS TH07/1033

ZENER DIODES

HZS SERIES

DO - 34 Glass

VZ : 2.0 - 36V

P_D: 250 mW

1.00 (25.4)

0.078 (2.0 )max.

min.

0.118 (3.0)

max.

Cathode

Mark

FEATURES :

* Low leakage, low zener impedance

* Maximum power dissipation of 400 mW

* Lead / RoHS Free

1.00 (25.4)

min.

0.017 (0.43)max.

Dimensions in inches and ( millimeters )

MECHANICAL DATA

Case: DO-34 Glass Case

Weight: approx. 0.093g

MAXIMUM RATINGS

Rating at25 °C ambient temperature unless otherwise specified

Parameter

Zener Current see Table "Characteristics"

Maximum Forward Current

Symbol

Value

Unit

I_F

150

400

P_D

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

200

°C

- 55 to + 175

Page 1 of 2

Rev. 05 : December 4, 2008

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与HZS11B3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HZS11B3-E	RENESAS	获取价格	10.9V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34, MHD, 2 PIN
HZS11B3L	RENESAS	获取价格	10.9V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34, MHD, 2 PIN
HZS11B3L	EIC	获取价格	Zener Diode,
HZS11B3L	HITACHI	获取价格	Zener Diode, 10.9V V(Z), 1.83%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, MHD, 2 PIN
HZS11B3LRX	RENESAS	获取价格	暂无描述
HZS11B3LRX-E	RENESAS	获取价格	暂无描述
HZS11B3LRY	HITACHI	获取价格	Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-34, DO-34, 2 PIN
HZS11B3LTA	RENESAS	获取价格	0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, D0-34, DO-34, 2 PIN
HZS11B3LTA-E	RENESAS	获取价格	HZS11B3LTA-E
HZS11B3LTAX	RENESAS	获取价格	暂无描述